?Buffalo Memory推出SS6系列固態硬盤，第一次采取美國公司Everspin生產的最新技術內存“STT-MRAM”作為緩存緩沖。
Everspin新型內存STT-MRAM是屬于自旋轉移矩磁阻隨機存儲，采用自旋極化電流，以磁狀態而非電子充電狀態保存數據，與傳統的動態隨機存儲(DRAM相比)具有高可靠性、非易失性、超低延遲等特性，海力士、東芝、三星等都在進行STT-MRAM的研發，但目前Everspin是全球唯一家宣布基于pMTJ的ST-MRAM的樣品的公司，該STM MRAM被認為是提供最佳可擴展性，形狀依賴性和磁性可擴展性的MRAM技術。
眾所周知 ，目前在SSD固態硬盤的市場上一般來說是用DRAM作為緩存緩沖的，但是DRAM屬于易失性存儲器，在斷電時會丟失數據，因此需要再配置超級電容及備份電池以及高級掉電保護技術，無論是硬件還是軟件無疑中都增加了不少成本。
而Everspin生產的STT-MRAM是屬于非易失性存儲器，和NAND閃存一樣就算斷電也能保留緩存的數據，并且不需要硬盤向閃存刷新緩存內容。
Buffalo SS6采用了來自Everspin科技公司的DDR3 ST-MRAM(EMD3D064M)，單顆容量64Mb(8MB)，WBGA封裝，完全兼容JEDEC DDR3接口規范，頻率最高1600MHz，帶寬最高3.2GB/s，延遲則是納秒級別的，另外Everspin科技公司開發DDR3 ST-MRAM(EMD3D256M)新產品，單顆容量256Mb(32Mb x 8 or 16Mb x 16)，WBGA封裝。
以下是關于everspin STT-MRAM 型號EMD3D064M以及型號 EMD3D256M資料的相關介紹
The initial 64Mb device is the first product in Everspin's ST-MRAM roadmap that is planned to scale to up to gigabit density and higher speeds.
●.Supports Standard DDR3 SDRAM Features.
●.Standard DDR3 SDRAM compatible footprint and pinouts.
●.400MHz clock.
●.512-bit Page Size.
●.On-Device Termination.
Everspin 64Mb DDR3 Spin-Torque MRAM
The EMD3D064M08B1 is an 8Mb x 8 Spin-Torque MRAM capable of DDR3 operation at rates of up to 800MT/sec/pin.
It is available in a 9 x 13mm BGA package.
Everspin 256Mb DDR3 Spin-Torque MRAM
The EMD3D256M[08G1/16G2] 32Mb x 8 or 16Mb x 16 Spin-Torque MRAM capable of DDR3 operation at rates of up to 1333MT/sec/pin.
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商 如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
?更多資訊關注SRAMSUN. m.huamf.com 0755-66658299
