采用高速CMOS技術的低功耗同步DRAM
2026-04-17 10:19:36
1、低功耗同步DRAM概述
英尚代理的鈺創(chuàng)EM638325BK系列SDRAM是一款高速CMOS包含64兆位的同步DRAM。它是內部配置為四路512K x 32 DRAM帶有同步接口(所有信號記錄在時鐘信號的正沿，CLK)。DRAM每個512K×32位的存儲體都是有組織的如2048行乘256列乘32位。EM638325提供可編程讀取或寫入1、2、4、8或整頁的突發(fā)長度，具有突發(fā)終止選項。DRAM自動預充電可以啟用函數(shù)來提供自定時行在突發(fā)結束時啟動的預充電序列。刷新功能，自動或自動刷新很容易使用。通過擁有可編程的模式寄存器，系統(tǒng)可以選擇最最大化其性能的合適模式。這些低功耗DRAM非常適合要求高性能的應用內存帶寬。
2、低功耗同步DRAM EM638325BK系列特征：
①DRAM密度：64Mb
②組織：2Mx32
③DRAM速度：200/166/143
④Vdd接口：3.3V，LVTTL
⑤DRAM封裝：90球FBGA
⑥快速訪問時間:5/5.4/5.4 ns
⑦快速時鐘速率:200/166/143 MHz
⑧四個內部存儲體(512K x 32位x 4個存儲體)
⑨環(huán)境溫度:0~70攝氏度
⑩4096個刷新周期/64毫秒
?單+3.3V±0.3V電源
?完全同步運行
?內部流水線架構
?突發(fā)停止功能
?自動刷新和自我刷新
3、低功耗同步DRAM EM638325BK系列其他型號：
①低功耗同步DRAM EM638325TS-5G
②低功耗同步DRAM EM638325TS-6G
③低功耗同步DRAM EM638325TS-7G
④低功耗同步DRAM EM638325BK-5H
⑤低功耗同步DRAM EM638325BK-6H
⑥低功耗同步DRAM EM638325BK-7H
上一篇文章：使用SPI RAM芯片擴展嵌入式存儲空間
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