MR256D08BMA45R是一款容量為256Kb的磁阻隨機存取存儲器MRAM存儲芯片，組織為32x8位字。它支持+1.65至+3.6伏的I/O電壓。MR256D08BMA45R提供與SRAM兼容的45ns讀/寫時序，具有無限的耐用性。
 
MR256D08BMA45R的數據保持期長達20年以上而不會丟失，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護，以防止在非工作電壓期間寫入。是必須快速永久存儲和檢索關鍵數據和程序的應用的理想內存解決方案。
 
此款并口MRAM芯片能在很寬的溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。封裝采用48BGA)，并行MRAM是大多數手機、移動設備、膝上機、PC等數字產品的存儲器的潛在替代產品。
 
EVERSPIN在2006年從飛思卡爾半導體公司獨立分離出來，成立后一直致力于研發(fā)MRAM芯片的產品，也是全球第一家生產商業(yè)化MRAM芯片，是世界領先的分立和嵌入式MRAM開發(fā)商和制造商，產品廣泛用在數據存儲、工業(yè)自動化、游戲、能源管理、通訊、運輸、和航空電子領域。
 

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