IS61LV25616國(guó)產(chǎn)SRAM芯片替換
2020-03-17 10:24:01
2018年中國(guó)進(jìn)口了超過(guò)900億美元的存儲(chǔ)芯片，這其中三星電子、SK海力士和美光電子三分天下，而國(guó)內(nèi)廠商的份額為——0％。DRAM憑借體積小、價(jià)格低、集成度高、功耗低、讀寫速度快等特點(diǎn)，一直是適用于內(nèi)存最好的介質(zhì)。幾乎占據(jù)了中國(guó)存儲(chǔ)的半壁江山，特別是更細(xì)分的存儲(chǔ)市場(chǎng)如SRAM芯片，pSRAM芯片等，幾乎被ISSI，cypress長(zhǎng)年占據(jù)高達(dá)80%以上的市場(chǎng)份額，隨著中國(guó)市場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化的要求，越來(lái)越多的工控廠商，國(guó)企單位針對(duì)IS61LV25616芯片要求替換為國(guó)產(chǎn)化的SRAM芯片的趨勢(shì)越來(lái)越明顯。
英尚微電子推出一款針對(duì)IS61LV25616芯片進(jìn)行兼容替換的XRAM存儲(chǔ)器芯片，型號(hào)XM8A25616V33A，容量4Mbit (256K×16/512K×8) Asynchronous XRAM，工作電壓采用寬電壓 2.2 V to 3.6 V, 10/12 ns的高速讀取速度，XM8A25616V33A提供二個(gè)封裝選項(xiàng)：48球FBGA和44管腳TSOP (II)，客戶可根據(jù)自身的應(yīng)用需求來(lái)選擇最適合的封裝方案，XM8A25616V33A結(jié)合先進(jìn)工藝結(jié)合XRAM存儲(chǔ)器特有的XRAM免刷新專利技術(shù)，在大容量，高速性能和高可靠性方面完全可以匹敵同類SRAM，同時(shí)具有較低功耗和更低的成本，并且與所有同類型SRAM產(chǎn)品硬件完全兼容，可以稱為
國(guó)產(chǎn)SRAM芯片，滿足各種應(yīng)用系統(tǒng)對(duì)高性能和低成本的要求。
XM8A系列型號(hào)表
| Density |
PartNumber |
BW bit |
Vdd |
Speed |
Package |
| 64Mb |
XM8A04M16V33A |
X16 |
3.3V |
10/12ns |
TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48) |
| 64Mb |
XM8A08M08V33A |
X8 |
3.3V |
10/12ns |
TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48) |
| 32Mb |
XM8A02M16V33A |
X16 |
3.3V |
10/12ns |
TSOP1(48)/BGA(48) |
| 32Mb |
XM8A04M08V33A |
X8 |
3.3V |
10/12ns |
TSOP1(48)/BGA(48) |
| 16Mb |
XM8A01M16V33A |
X16 |
3.3V |
10/12ns |
TSOP1(48)/BGA(48) |
| 16Mb |
XM8A02M08V33A |
X8 |
3.3V |
10/12ns |
TSOP1(48)/TSOP2(44)/BGA(48) |
| 8Mb |
XM8A51216V33A |
X16 |
3.3V |
10/12ns |
TSOP2(44)/TSOP1(48) |
| 8Mb |
XM8A01M08V33A |
X8 |
3.3V |
10/12ns |
TSOP2(44)/TSOP1(48) |
| 4Mb |
XM8A25616V33A |
X16 |
3.3V |
10/12ns |
TSOP2(44)/BGA(48) |
| 4Mb |
XM8A51208V33A |
X8 |
3.3V |
10/12ns |
TSOP2(44)/BGA(48) |
本文關(guān)鍵詞：國(guó)產(chǎn)SRAM
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