everspin的MR25H10是一個(gè)1,048,576位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）設(shè)備，由131,072個(gè)8位字組成。MR25H10提供串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時(shí)序，沒有寫延遲，并且讀/寫壽命不受限制。
 
與其他串行存儲(chǔ)器不同，讀取和寫入都可以在內(nèi)存中隨機(jī)發(fā)生，而兩次寫入之間沒有延遲。對(duì)于必須使用少量I/O引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用，MR25H10是理想的存儲(chǔ)器解決方案。
 
MR25H10提供5mmx6mm8引腳DFN封裝或5mmx6mm8引腳DFN小標(biāo)志封裝。兩者均與串行EEPROM，閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。該系列產(chǎn)品中的MR25H10CDF，MR25H10CDC可用于替換Cypress的型號(hào)FM24V10.
 
MR25H10可在各種溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。該產(chǎn)品提供工業(yè)（-40°至+85°C）和AEC-Q1001級(jí)（-40°C至+125°C）工作溫度范圍選項(xiàng)。
 
對(duì)于必須使用最少數(shù)量的引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用，MR25H10是理想的mram芯片。可提供AEC-Q1001級(jí)合格選項(xiàng)。40MHz的讀寫速度，具有無(wú)限的耐力。數(shù)據(jù)非易失性，保留20年。數(shù)據(jù)保留掉電。符合RoHS的軟件包。
 
1Mb串行SPI MRAM
•無(wú)寫入延遲
•無(wú)限的寫續(xù)航力
•數(shù)據(jù)保留超過(guò)20年
•斷電時(shí)自動(dòng)數(shù)據(jù)保護(hù)
•塊寫保護(hù)
•快速，簡(jiǎn)單的SPI接口，時(shí)鐘速率高達(dá)40MHz
•2.7至3.6伏電源范圍
•低電流睡眠模式
•工業(yè)溫度
•提供8引腳DFN或8引腳DFN符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的小標(biāo)志
包裝
•直接替換串行EEPROM，閃存，F(xiàn)eRAM
•AEC-Q1001級(jí)選件

1Mb串口MRAM芯片其他型號(hào)如下：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	128Kx8	MR25H10CDC	8-DFN	3.3V	Industrial
1Mb	128Kx8	MR25H10CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial
1Mb	128Kx8	MR25H10CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial
1Mb	128Kx8	MR25H10CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial
1Mb	128Kx8	MR25H10MDC	8-DFN	3.3V	AEC-Q100 Grade 1
1Mb	128Kx8	MR25H10MDCR	8-DFN	3.3v	AEC-Q100 Grade 1
1Mb	128Kx8	MR25H10MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1
1Mb	128Kx8	MR25H10MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1

我司供應(yīng)不同容量的MRAM芯片產(chǎn)品，型號(hào)可參考以下鏈接：

http://m.huamf.com/list-180-1.html

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