但現(xiàn)在終于迎來了好消息， 2018年下半年，以NAND閃存為主的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、專注于行動(dòng)式內(nèi)存的合肥長(zhǎng)鑫和投入利基型內(nèi)存的福建晉華都將開始試產(chǎn)，并于2019年進(jìn)行量產(chǎn)。

　　
集邦咨詢DRAMeXchange指出，從目前國內(nèi)存儲(chǔ)器廠商的研發(fā)實(shí)力以及產(chǎn)出計(jì)劃來看，我國的核心技術(shù)還不夠成熟，建成量產(chǎn)后的初期規(guī)模也會(huì)比較小，要到3年后才能形成一定的規(guī)模。

　　
接下來長(zhǎng)江存儲(chǔ)要試產(chǎn)的是32層3D-NAND 閃存產(chǎn)品，市面上通用的64層NAND 閃存產(chǎn)品技術(shù)還不夠成熟，估計(jì)在將來三至五年64層閃存產(chǎn)品大規(guī)模量產(chǎn)后，才會(huì)對(duì)市場(chǎng)的供給帶來變化。就算是主攻DRAM的合肥長(zhǎng)鑫和福建晉華，也要三年后才能初具規(guī)模，將來還可能會(huì)面臨國外存儲(chǔ)巨頭們的專利壓制。

　　
總之，國內(nèi)的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)目前在仍在奮力拼搏當(dāng)中，短時(shí)間內(nèi)不會(huì)對(duì)全球市場(chǎng)的格局造成什么影響，雖然NAND/DRAM的價(jià)格主動(dòng)權(quán)這幾年還是會(huì)掌握在三星、SK海力士以及美光這些大廠手中，但至少也能看到我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的前景了。


本文關(guān)鍵詞：NAND 閃存

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