大陸正在全力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，朝著建立自主存儲器和邏輯芯片目標(biāo)前進(jìn)，在三大主要DRAM廠三星、SK海力士及美光全力防止技術(shù)流向陸廠外，對岸挖角行動(dòng)也伸向邏輯芯片代工廠，臺灣廠商在這個(gè)時(shí)候需要提高警覺。      
      大陸已將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)列為國家重點(diǎn)發(fā)展產(chǎn)業(yè)，并表示到2020年自制率要達(dá)到百分之五十，到2025年自制率更提高到百分之七十五。
      大陸各省為爭取國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金挹注，也積極朝自建晶圓廠目標(biāo)前進(jìn)，發(fā)展目標(biāo)除了內(nèi)存外，還包括應(yīng)用范圍更廣的邏輯芯片。
      據(jù)統(tǒng)計(jì)，大陸目前宣布投入興建十二寸晶圓廠投資多達(dá)二十六座，其中已有十二座進(jìn)入建廠；大陸全力發(fā)展半導(dǎo)體的力度，已讓全球不敢小覷。
      陸廠為達(dá)成相關(guān)政策目標(biāo)，不惜砸重金投資，爭奪人才和技術(shù)。 其中DRAM產(chǎn)業(yè)被列為國家政策指針廠紫光集團(tuán)，已陸續(xù)宣示在武漢及南京各自興建年產(chǎn)30到35萬片的內(nèi)存存儲芯片生產(chǎn)重鎮(zhèn)；合肥長鑫和福建晉華也都相繼展開建廠行動(dòng)。
      但DRAM目前技術(shù)只剩SK海力士、三星和美光三大廠，盡管陸廠大手筆挖角，但在三大廠反制下，研發(fā)時(shí)程恐難如預(yù)期在明年大舉投入DRAM生產(chǎn)，倒是NAND Flash突破防線機(jī)率高。
      至于被列為邏輯芯片指針中芯，近來面臨28mn良率一直無法突破，也把挖角行動(dòng)伸向臺廠，雖然臺廠中的臺積電等向來對防止技術(shù)外流做了極萬全的防護(hù)，但人才跳槽是最難防，如果大陸處心積極要挖角，也有可能突破防線，目前臺灣在晶圓代工雖取得全球領(lǐng)先優(yōu)勢，但還是得提防對岸猛烈的挖角行動(dòng)。
     在全球主要三大DRAM廠三星、SK海力士及美光全力防堵技術(shù)流向陸廠外，對岸挖角行動(dòng)也伸向臺積電等邏輯芯片代工廠。
     臺灣眾達(dá)國際法律事務(wù)所律師黃日燦建議，企業(yè)防范未然，游戲規(guī)則訂清楚且應(yīng)定期檢討。
     黃日燦表示，企業(yè)防止?fàn)I業(yè)秘密外流主要有三招，第一，資方須嚴(yán)守營業(yè)秘密，可讓僅需了解相關(guān)工作的關(guān)鍵員工知道即可，同時(shí)，在制程方面，也應(yīng)僅有少數(shù)人可完整了解，或各員工了解的營業(yè)秘密有所區(qū)隔。 第二，任何工作守則、承諾書等法律文件都應(yīng)簽署，游戲規(guī)則定清楚且定期檢討。 第三，機(jī)密的內(nèi)容應(yīng)使用公司計(jì)算機(jī)與手機(jī)。