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偉凌創(chuàng)芯內(nèi)存SRAM存儲(chǔ)芯片供貨商

2022-08-08 10:34:40

內(nèi)存已成為超低功耗物聯(lián)網(wǎng)(IoT)芯片設(shè)計(jì)中日益重要的組成部份。
 
超低功耗運(yùn)作是物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中一項(xiàng)重要的可持續(xù)性要求,這對(duì)于實(shí)現(xiàn)無線物聯(lián)網(wǎng)芯片也至關(guān)重要,特別是可攜式和遠(yuǎn)程物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用,只有在小電池上運(yùn)行多年,才具有環(huán)境和商業(yè)上的可行性。
 
low power sram主要是指低功耗國(guó)產(chǎn)SRAM存儲(chǔ)器,應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品,作為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的一種類別,靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(SRAM)作為最重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝的不斷提升,存儲(chǔ)器占據(jù)芯片的功耗比例越來越大,高速低功耗的SRAM設(shè)計(jì)變得越來越重要。
 
安徽偉凌創(chuàng)芯是以市場(chǎng)為導(dǎo)向的無晶圓半導(dǎo)體公司。專注SRAM存儲(chǔ)芯片、顯示驅(qū)動(dòng),接口轉(zhuǎn)換芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)及銷售。產(chǎn)品領(lǐng)域涵蓋智能感知、網(wǎng)絡(luò)可視化、信息化、信息安全、大數(shù)據(jù)分析、智能語音、應(yīng)用展現(xiàn)、特種通信和智能建筑等。
 
隨著無線芯片和MCU功能變得日益強(qiáng)大、也越來越智慧,它們需要嵌入更多內(nèi)存以提高速度并減少延遲。在無線芯片制造商和MCU供貨商之間預(yù)計(jì)將會(huì)出現(xiàn)更多這一類的收購(gòu)交易。另一方面,這也象征著服務(wù)于廣泛物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的MCU和SoC設(shè)計(jì)發(fā)展的新階段。

偉凌創(chuàng)芯(EMI)低功耗SRAM
Part Number Density Org. VCC Access Times Temp. Package
EMI501HB08PM45I 1Mbit 128Kx8bit 4.5V~5.5V 45ns -40~85℃ 32SOP
EMI501HB08PM-55I 1Mbit 128Kx8bit 4.5V~5.5V 55ns -40~85℃ 32SOP
EMI501NL16VM-55I 1Mbit 64Kx16bit 2.7V~ 3.6V 55ns -40~85℃ 44TSOP2
EMI501NL16LM-55I 1Mbit 64Kx16bit 2.7V~ 3.6V 55ns -40~85℃ 48BGA
EMI502NL16VM-55I 2Mbit 128Kx16bit 2.3V~ 3.6V 55ns -40~85℃ 44TSOP2
EMI502NL16LM-55I 2Mbit 128Kx16bit 2.3V~ 3.6V 55ns -40~85℃ 48BGA
EMI504NL08WM-55IT 4Mbit 512Kx8bit 2.7V~ 3.6V 55ns -40~85℃ 32sTSOP1
EMI504NL08PM-55IT 4Mbit 512Kx8bit 2.7V~ 3.6V 55ns -40~85℃ 32SOP
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EMI504HL08PM-55I 4Mbit 512Kx8bit 4.5V~ 5.5V 55ns -40~85℃ 32SOP
EMI504HL08YM-55I 4Mbit 512Kx8bit 4.5V~ 5.5V 55ns -40~85℃ 32TSOP2
EMI504NL16VM-55IT 4Mbit 256Kx16bit 2.7V~ 3.6V 55ns -40~85℃ 44TSOP2
EMI504NL16LM-55IT 4Mbit 256Kx16bit 2.7V~ 3.6V 55ns -40~85℃ 48FBGA
EMI508NL08VM-55IT 8Mbit 1Mbx8bit 2.7V~ 3.6V 55ns -40~85℃ 44TSOP2
EMI508NL08LM-55IT 8Mbit 1Mbx8bit 2.7V~ 3.6V 55ns -40~85℃ 48FBGA
EMI508NL16VM-55I 8Mbit 512Kx16bit 2.7V~ 3.6V 55ns -40~85℃ 44TSOP2
EMI508NL16LM-55I 8Mbit 512Kx16bit 2.7V~ 3.6V 55ns -40~85℃ 48FBGA
 

本文關(guān)鍵詞:偉凌創(chuàng)芯,SRAM


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